AMD、DDR5メモリ帯域幅を倍増させるHB-DIMM技術を特許取得

AMDは、DRAMチップ自体を変更することなくメモリ帯域幅を倍増させることを可能にするHB-DIMM技術の特許を取得しました。このアプローチはメモリモジュールに追加の論理回路を統合するもので、APU（加速処理ユニット）の性能を大幅に向上させる可能性があります。

AMDのこの新たな手法は、DRAMチップの速度を上げるのではなく、DIMMモジュールのアーキテクチャそのものに焦点を当てています。レジスタ/クロックドライバー（RCD）およびデータバッファチップを利用することで、ピン当たりの帯域幅を6.4 Gbpsから12.8 Gbpsに拡大します。その結果、2つの通常のDRAMデータストリームが1つのより高速なストリームに統合され、プロセッサへのデータ転送速度が倍増します。

この技術の主な目的は、メモリがボトルネックとなる人工知能（AI）処理などの負荷に対応することです。しかし、特許内容はAPUや統合グラフィックスへの応用も想定しています。そのためには、標準的なDDR5 PHY（物理層インターフェース）と、追加のHB-DIMM PHYという2つの異なるインターフェースを利用する方式が提案されています。大容量のメモリプールはDDR5が担当し、より小容量ではあるが高速なメモリはHB-DIMMを介して提供されます。

この方式は、データストリームの高速処理が極めて重要となるローカルAI処理において特に効果的です。エッジコンピューティングにおけるAIの重要性が高まる中、AMDはこの技術により顕著な優位性を得ることになります。一方、課題として、高い帯域幅で動作させる場合の電力消費の増加と、効果的な冷却対策の必要性が挙げられます。