SKハイニクス、1セルあたり5ビットを実現する新たなNAND技術を発表

SKハイニクスは、QLC 3D NANDメモリの電圧障壁という課題を克服し、1つのメモリセルが保持できる情報量を増加させることに成功しました。

同社は「4D 2.0 NAND」プロジェクトの一環として、5段階の電荷状態を持つセル（PLC）技術の独自バージョンである「MSC（Multi-Site Cell）」を開発しました。この技術の核心は、NANDメモリセルの構造を2つの領域に分割し、ビット線で接続することにあります。各領域は6種類の電圧状態を保持でき、組み合わせると合計36の状態が可能となります。これにより、5ビット分の情報に相当する32の状態を確実にエンコードできます。

SKハイニクスのMSC技術は、PLCメモリの普及を妨げていた主要な問題点である、信頼性の低さと耐久性の不足を解消しています。同社は、QLC以降は電圧状態の値が接近しすぎ、増加がほぼ不可能とされた「電圧の壁」を回避することに成功しました。

MSC技術は、より大容量のストレージデバイスの実現への道を開きます。この技術により、既存のQLCチップと比較して、最大で約25％の記憶容量の増加が見込まれています。さらに、他社のPLC技術と比較して、最大20倍高速な読み込み速度を提供することが可能です。